淺談2D封裝，2.5D封裝，3D封裝各有什么區(qū)別？-深圳福英達(dá)
淺談2D封裝，2.5D封裝，3D封裝各有什么區(qū)別？
集成電路封裝技術(shù)從2D到3D的演進(jìn)，是一場(chǎng)從平面鋪開(kāi)到垂直堆疊、從延遲到高效、從低密度到超高集成的革命。以下是這三者的詳細(xì)分析：
一、物理結(jié)構(gòu)：從平面到立
2D封裝代表了最傳統(tǒng)的形式。所有芯片和無(wú)源器件都并排平鋪在同一個(gè)基板（通常是PCB或陶瓷基板）的XY平面上。芯片通過(guò)四周的焊盤(pán)與基板連接，沒(méi)有任何堆疊概念，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
2.5D封裝是向三維邁進(jìn)的關(guān)鍵過(guò)渡。它的核心創(chuàng)新是引入了一個(gè)“中介層”。這個(gè)中介層（通常是一塊帶有硅通孔的硅片或有機(jī)材料）像一個(gè)微型的“中轉(zhuǎn)站”或“高密度互連橋梁”，被安裝在基板之上。芯片則被并排放置或輕微堆疊在這個(gè)中介層上，而非直接安裝在基板上。這使得部分芯片脫離了基板，懸于其上方。
3D封裝則實(shí)現(xiàn)了真正的三維立體集成。它摒棄了中介層，將多個(gè)邏輯芯片或存儲(chǔ)芯片像蓋高樓一樣直接垂直堆疊在一起。芯片之間通過(guò)貫穿其內(nèi)部的硅通孔進(jìn)行直接、最短路徑的連接，形成了最緊湊的立體結(jié)構(gòu)。
二、電氣連接：從長(zhǎng)路徑到垂直直連
2D封裝主要依靠基板內(nèi)部的金屬布線和過(guò)孔進(jìn)行水平方向的信號(hào)傳輸。芯片與基板的連接通常使用鍵合線，這是一種細(xì)小的金屬線，從芯片表面的焊盤(pán)連接到基板焊盤(pán)。這種路徑較長(zhǎng)，引入的電阻和電感較大，導(dǎo)致信號(hào)延遲和功耗成為瓶頸。
2.5D封裝的電氣性能實(shí)現(xiàn)了飛躍。它通過(guò)微凸點(diǎn)將芯片焊接到中介層上，再利用中介層內(nèi)部極其精細(xì)的高密度布線實(shí)現(xiàn)芯片間的互連。最后，信號(hào)通過(guò)中介層自身的硅通孔垂直傳導(dǎo)至下方的基板。中介層提供了遠(yuǎn)超普通基板的布線密度和信號(hào)傳輸性能，顯著縮短了芯片間的互連距離，實(shí)現(xiàn)了高帶寬和低延遲。
3D封裝將互連性能推向了極致。它通過(guò)TSV直接垂直穿透芯片本體，結(jié)合芯片之間的微凸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了層與層之間的直接通信。這種方式的互連路徑是所有技術(shù)中最短的，帶來(lái)了極高的帶寬、極低的延遲和功耗，是真正意義上的“垂直直連”。
三、集成度、性能與應(yīng)用場(chǎng)景
2D封裝的集成度最低，受限于基板的面積和布線能力。但其技術(shù)最成熟、成本最低，是絕大多數(shù)傳統(tǒng)消費(fèi)電子和簡(jiǎn)單芯片（如MCU、電源管理芯片）的首選。
2.5D封裝實(shí)現(xiàn)了較高的集成度和性能。它完美解決了將不同工藝、不同功能的芯片（如先進(jìn)制程的CPU/GPU和專(zhuān)用存儲(chǔ)芯片HBM）高效集成在一起的問(wèn)題。它廣泛應(yīng)用于對(duì)帶寬和性能有極致要求的領(lǐng)域，如高性能計(jì)算（HPC）、人工智能（AI）加速卡、高端FPGA等。臺(tái)積電的CoWoS和英特爾的EMIB都是其典型代表技術(shù)。
3D封裝代表了集成度的頂峰。它最大限度地利用了三維空間，實(shí)現(xiàn)了極致的體積小型化和性能最大化。其主要挑戰(zhàn)在于技術(shù)難度極高、成本高昂，且需要解決由堆疊帶來(lái)的散熱和應(yīng)力問(wèn)題。它主要應(yīng)用于高密度存儲(chǔ)器（如3D NAND Flash） 以及需要將邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片進(jìn)行最緊密集成的場(chǎng)景（如臺(tái)積電的SoIC、英特爾的Foveros），以滿足未來(lái)計(jì)算對(duì)超低延遲和超高能效的需求。
總而言之，這三種技術(shù)并非簡(jiǎn)單的替代關(guān)系，而是根據(jù)性能、成本和應(yīng)用需求共存并發(fā)展的技術(shù)路線。2D滿足主流市場(chǎng)，2.5D攻克高性能領(lǐng)域，而3D則面向未來(lái)，探索集成的終極形態(tài)。
-未完待續(xù)-
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